随着半导体制程向 3nm 突破，保护膜的洁净度要求已提升至原子层级。光大远高洁静度 PE 保护膜通过分子级设计，将金属离子含量控制在 1ppm 以下，满足极紫外（EUV）光刻工艺的严苛需求。
分子级洁净设计
- 催化剂残留控制：采用茂金属催化剂，残留量＜5ppm，远低于传统 Ziegler-Natta 催化剂的 50ppm；
- 添加剂优化：使用食品级爽滑剂，迁移量＜0.1μg/cm²，避免污染光刻胶；
- 聚合工艺升级：溶液聚合技术使 PE 分子链更规整，析出物比传统悬浮聚合减少 80%。
在某代工企业的 EUV 光刻车间，该膜用于光罩（Mask）的临时保护，经 X 射线光电子能谱（XPS）检测，膜面硅、氧等杂质元素的含量＜0.01%。其极低的脱气速率（＜1×10⁻⁹g/cm²・s），不会对真空环境造成污染。
先进制程适配
- FinFET 结构保护：0.05mm 超薄 PE 膜可深入 Fin 间隙，提供 360° 保护；
- TSV 通孔防护：高弹性 PE 膜在通孔填充工艺中，避免浆料污染孔壁；
- 键合工艺：低粘 PE 膜在倒装焊（Flip Chip）中，不影响焊球的共晶结合。
