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普通 PE 膜在半导体环境中每平方米可释放数万个微粒子,而光大远高洁静度 PE 膜通过纳米级表面处理,将粒子释放量控制在 10 个 /ft 以下,成为 3D NAND 闪存厂商的优选方案。 表面处
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当半导体工艺进入 3nm 时代,保护膜的洁净度已成为良率的关键变量。光大远高洁静度 PE 保护膜构建了从原料到交付的全链条洁净体系,其粒子控制能力达到 SEMICON F20 标准的 Class 100 级
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半导体制造中,PE 保护膜的洁净度不足会导致光刻胶残留、金属层污染等致命缺陷。光大远推出的半导体专用高洁静度 PE 膜,通过全流程洁净控制,将总有机碳(TOC)含量控制在 5ppm
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在半导体晶圆厂的百级洁净室里,一枚指纹都可能成为芯片缺陷的元凶。光大远高洁静度 PE 保护膜以 ISO 14644-1 Class 5 级洁净标准为基石,用三层洁净工艺编织出守护芯片的 无尘铠甲。
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普通磨砂膜的透光率像蒙尘的窗户,而光大远的纳米复合涂层技术,让 88-90% 的透光率成为膜面的光之河流。二氧化硅纳米粒子与硅氧烷聚合物编织的多孔网络,孔径 20-50nm 的精密结构
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